型号:RDN100N20 | 类别:FET - 单 | 制造商:Rohm Semiconductor |
封装:TO-220-3 整包 | 描述:MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN |
系列 | - |
制造商 | Rohm Semiconductor |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 10A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 360 毫欧 @ 5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 30nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 543pF @ 10V |
功率_最大 | 35W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商设备封装 | TO-220FN |
包装 | 散装 |
供应商
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
上海意淼电子科技有限公司 | 吴13681678667 |
深圳市恒佳微电子有限公司 | 朱经理、张小姐0755-82533156 82710336 |
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
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深圳市春东电子有限公司 | 朱先生/王小姐0755-82563615/82563213 |
深圳市创芯联盈电子有限公司 | 陈泽强0755-88291559 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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